4月30日，固体物理研究所邀请陕西科技大学博士生导师尉国栋教授作了题为“基于第三代半导体碳化硅基光电突触器件”的学术报告。该报告在慎思楼1006室举行，固体物理研究所所长董丽娟主持，固体物理研究所及物电学院部分师生聆听了报告。

       报告中，尉国栋首先引出了SIC纳米线结构的光电探测研究，且对紫外光电探测领域进行介绍，而后对第三代半导体材料SIC的物理特性和其未来应用进行讲解，进一步引出SIC光电功能薄膜的制备和SIC纳米线阵列的光电探测研究。随后，尉国栋又深入浅出地讲解了忆阻器与突触类脑器件和忆阻器与突触类脑器件在日常生活和医学领域的应用，最后介绍了忆阻器与突触类脑器件在未来的研究方向规划。报告期间实时地与师生们展开讨论，耐心解答了师生提出的相关问题。

　　尉国栋的讲座内容丰富，富有创意，参加此次报告的老师和同学们收获颇丰。（来源：科学技术部 固体物理研究所  责编：张宁）